広島大学学術情報リポジトリ

登録番号 (降順)

Estimation of Fish Biomass Using Environmental DNA

作成者	Takahara Teruhiko \| Minamoto Toshifumi \| Yamanaka Hiroki \| Doi Hideyuki \| Kawabata Zen'ichiro
雑誌	PLoS ONE 7 巻 4 号 pp. e35868 -
発行日	2012 発行

Biomolecule detection based on Si single-electron transistors for highly sensitive integrated sensors on a single chip

作成者	Kudo Takashi \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 100 巻 2 号 pp. 023704 -
発行日	2012 発行

Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors

作成者	Kudo Takashi \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 98 巻 12 号 pp. 123705 -
発行日	2011 発行

Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

作成者	Nakajima Anri \| Kudo Takashi \| Ito Takashi
雑誌	Applied Physics Letters 98 巻 5 号 pp. 053501 -
発行日	2011 発行

Short hybrid polymer/sol-gel silica waveguide switches with high in-device electro-optic coefficient based on photostable chromophore

作成者	Enami Yasufumi \| Luo Jingdong \| Jen Alex K-Y.
雑誌	AIP Advances 1 巻 4 号 pp. 042137 -
発行日	2011 発行

Detection of organophosphorus compound based on a sol-gel silica planar waveguide doped with a green fluorescent protein and an organophosphorus hydrolase

作成者	Enami Yasufumi \| Tsuchiya Keiji \| Suye Shin-ichiro
雑誌	Applied Physics Letters 98 巻 23 号 pp. 233503-1 - 233503-3
発行日	2011-06-07 発行

Potentiality of Metal-Oxide-Semiconductor Silicon Optical Modulator Based on Free Carrier Absorption

作成者	Tabei Tetsuo \| Hirata Tomoki \| Kajikawa Kenta \| Sunami Hideo
雑誌	Japanese Journal of Appllied Physics 48 巻 11 号
発行日	2009 発行

Continuous-Flow ATP amplification system on a chip

作成者	Satoh Tetsuya \| Shinoda Yasuharu \| Tokonami Shiho \| Hirota Ryuichi \| Noda Kenichi \| Kuroda Akio \| Murakami Yuji
雑誌	Sensors and Actuators B: Chemical 142 巻 1 号 pp. 118 - 122
発行日	2009-10-12 発行

Endotoxin assay by bioluminescence using mutant firefly luciferase

作成者	Noda Kenichi \| Goto Hitoshi \| Murakami Yuji \| Ahmed Abo Bakr F \| Kuroda Akio
雑誌	Analytical Biochemistry 397 巻 2 号 pp. 152 - 155
発行日	2010-02-15 発行

Reciprocating-flow ATP amplification system for increasing the number of amplification cycles

作成者	Satoh Tetsuya \| Tsuruta Kosuke \| Shinoda Yasuharu \| Hirota Ryuichi \| Noda Kenichi \| Kuroda Akio \| Murakami Yuji
雑誌	Analytical Biochemistry 395 巻 2 号 pp. 161 - 165
発行日	2009-12-15 発行

Detection of living Salmonella cells using bioluminescence

作成者	Urata Masaaki \| Iwata Rei \| Noda Kenichi \| Murakami Yuji \| Kuroda Akio
雑誌	Biotechnology Letters 31 巻 5 号 pp. 737 - 741
発行日	2009 発行

飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

作成者	横山新 \| 廣瀬全孝 \| 宮崎誠一 \| 桜田勇蔵
雑誌
発行日

Electrical Reliabilities of Highly Cross-Linked Porous Silica Film with Cesium Doping

作成者	Kayaba Yasuhisa \| Kohmura Kazuo \| Tanaka Hirofumi \| Seino Yutaka \| Odaira Toshiyuki \| Nishiyama Fumitaka \| Kinoshita Keizo \| Chikaki Shinichi \| Kikkawa Takamaro
雑誌	Journal of The Electrochemical Society 155 巻 11 号 pp. G258 - G264
発行日	2008 発行

GaAs及びSi上への絶縁膜の形成

作成者	横山新
雑誌
発行日

電気光学材料を用いたリング共振器光スイッチのSiLSI上へのモノリシック集積

作成者	横山新
雑誌
発行日

超高耐放射線・気体絶縁ゲート電界効果トランジスタの研究

作成者	角南英夫
雑誌
発行日

マルチポート連想メモリを用いた効果的な並列符号化処理について

作成者	熊木武志 \| 石崎雅勝 \| 田上正治 \| 今井雄太 \| 小出哲士 \| Mattausch Hans Juergen
雑誌	電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 巻 pp. 322 - 323
発行日	2007-10 発行

イメージスキャン画像分割アーキテクチャのLSI設計

作成者	粟根和俊 \| 岡崎啓太 \| 永岡奈緒美 \| 菅原達也 \| 小出哲士 \| Mattausch Hans Juergen
雑誌	電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 巻 pp. 229 - 230
発行日	2007-10 発行

学習機能を実現する連想メモリのLSI設計

作成者	榊原尚吾 \| Abedin Md.Anwarul \| 田中裕己 \| Mattausch Hans Juergen \| 小出哲士
雑誌	電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 巻 pp. 97 - 98
発行日	2007-10 発行

CAMを付加した超並列SIMDプロセッサによるAES処理高速化手法 (2) : 復号化方法

作成者	石崎雅勝 \| 田上正治 \| 熊木武志 \| 小出哲士 \| Mattausch Hans Juergen \| 行天隆幸 \| 野田英行 \| 堂阪勝己 \| 有本和民 \| 齊藤和則
雑誌	電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 巻 pp. 95 - 96
発行日	2007-10 発行

CAMを付加した超並列SIMDプロセッサによるAES処理高速化手法 (1) : 暗号化方法

作成者	田上正治 \| 石崎雅勝 \| 熊木武志 \| 幸野豊 \| 小出哲士 \| Mattausch Hans Juergen \| 行天隆幸 \| 野田英行 \| 堂阪勝己 \| 有本和民 \| 齊藤和則
雑誌	電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 巻 pp. 93 - 94
発行日	2007-10 発行

Gate-extension overlap control by Sb tilt implantation

作成者	Shibahara Kentaro \| Maeda Nobuhide
雑誌	IEICE-Transactions on Electronics E90-C 巻 5 号 pp. 973 - 977
発行日	2007 発行

MOSトランジスタのソース・ドレイン近傍でのドーパント2次元拡がり測定の研究

作成者	芝原健太郎 \| 横山新
雑誌
発行日

Influence of bulk bias on negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 99 巻 6 号
発行日	2006-05-15 発行

Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 12 号
発行日	2005-12-15 発行

Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 11 号
発行日	2005-12-01 発行

Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 89 巻 18 号
発行日	2006-10-30 発行

Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor

作成者	Kitade Tetsuya \| Ohkura Kensaku \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 12 号
発行日	2005-05-21 発行

Abnormal enhancement of interface trap generation under dynamic oxide field stress at MHz region

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 8 号
発行日	2005-02-21 発行

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshiro \| Obata Katsunori \| Yokoyama Shin \| Sunami Hideo \| Hirose Masataka
雑誌	Applied Physics Letters 77 巻 18 号 pp. 2855 - 2857
発行日	2000-10-30 発行

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

作成者	Hansch Walter \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 75 巻 11 号 pp. 1535 - 1537
発行日	1999-09-13 発行

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

作成者	Ishii Hiroyuki \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 95 巻 2 号 pp. 536 - 542
発行日	2004-01-15 発行

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

作成者	Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 91 巻 8 号 pp. 5213 - 5220
発行日	2002-04-15 発行

Monolithically integrated optical modulator based on polycrystalline Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films

作成者	Xu Zhimou \| Suzuki Masato \| Tanushi Yuichiro \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 88 巻 17 号
発行日	2006-04-17 発行

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

作成者	Nakajima Anri \| Ito Yuhei \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 81 巻 4 号 pp. 733 - 735
発行日	2002-07-22 発行

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

作成者	Ito Yuhei \| Hatano Tsuyoshi \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 24 号 pp. 4617 - 4619
発行日	2002-06-17 発行

Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 21 号 pp. 3952 - 3954
発行日	2002-05-27 発行

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

作成者	Nakajima Anri \| Khosru Quazi Deen Mohd \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 7 号 pp. 1252 - 1254
発行日	2002-02-18 発行

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 21 号 pp. 3488 - 3490
発行日	2001-11-19 発行

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 665 - 667
発行日	2001-07-30 発行

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 617 - 619
発行日	2001-07-30 発行

Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 4 号 pp. 494 - 496
発行日	2001-07-23 発行

Merits of Heat Assist for Melt Laser Annealing

作成者	Shibahara Kentaro \| Eto Takanori \| Kurobe Ken-ichi
雑誌	IEEE Transactions on Electron Devices 53 巻 5 号 pp. 1059 - 1064
発行日	2006-05 発行

High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors

作成者	Sunami Hideo \| Yoshikawa Koji \| Okuyama Kiyoshi
雑誌	Microelectronic Engineering 83 巻 4-9 号 pp. 1740 - 1744
発行日	2006-04 発行

Interface trap generation induced by charge pumping current under dynamic oxide field stresses

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 3 号 pp. 216 - 218
発行日	2005-03 発行

Enhancement of BTI degradation in pMOSFETs under high-frequency bipolar gate bias

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 6 号 pp. 387 - 389
発行日	2005-06 発行

Atomic layer-deposited Si-nitride/SiO2 stack gate dielectrics for future high-speed DRAM with enhanced reliability

作成者	Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Zhu Shiyang \| Yokoyama Shigeyuki \| Michimata Shigetomi \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 8 号 pp. 538 - 540
発行日	2005-08 発行

Pulse waveform dependence on AC bias temperature instability in pMOSFETs

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 9 号 pp. 658 - 660
発行日	2005-09 発行

Mechanism of dynamic bias temperature instability in p- and nMOSFETs: The effect of pulse waveform

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Transactions on Electron Devices 53 巻 8 号 pp. 1805 - 1814
発行日	2006-08 発行

ナノデバイス・システム研究センター