飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( jpn ) |
飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用
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| 作成者 |
廣瀬 全孝
桜田 勇蔵
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| 著者キーワード |
表面損傷
中速イオン散乱
イオン注入装置
飛行時間測定
不純物分布
半導体検出器
スペクトルシミュレーション
プラズマ損傷
semiconductor detector
time of flight measurement
アンチモンイオン注入
ion implanter
surface damage
plasma-induced damage
impurity profile
spectra simulation
コンタクトホール
アルゴンプラズマ
medium energy ion scattering
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| 内容記述 |
研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096
原著には既発表論文の別刷を含む。
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| NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
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| 言語 |
日本語
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| 資源タイプ | 研究報告書 |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 日付 |
[作成日] 1998-03
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