横山新

登録番号 (降順)

飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

作成者	横山新 \| 廣瀬全孝 \| 宮崎誠一 \| 桜田勇蔵
雑誌
発行日

GaAs及びSi上への絶縁膜の形成

作成者	横山新
雑誌
発行日

電気光学材料を用いたリング共振器光スイッチのSiLSI上へのモノリシック集積

作成者	横山新
雑誌
発行日

MOSトランジスタのソース・ドレイン近傍でのドーパント2次元拡がり測定の研究

作成者	芝原健太郎 \| 横山新
雑誌
発行日

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshiro \| Obata Katsunori \| Yokoyama Shin \| Sunami Hideo \| Hirose Masataka
雑誌	Applied Physics Letters 77 巻 18 号 pp. 2855 - 2857
発行日	2000-10-30 発行

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

作成者	Hansch Walter \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 75 巻 11 号 pp. 1535 - 1537
発行日	1999-09-13 発行

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

作成者	Ishii Hiroyuki \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 95 巻 2 号 pp. 536 - 542
発行日	2004-01-15 発行

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

作成者	Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 91 巻 8 号 pp. 5213 - 5220
発行日	2002-04-15 発行

Monolithically integrated optical modulator based on polycrystalline Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films

作成者	Xu Zhimou \| Suzuki Masato \| Tanushi Yuichiro \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 88 巻 17 号
発行日	2006-04-17 発行

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

作成者	Nakajima Anri \| Ito Yuhei \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 81 巻 4 号 pp. 733 - 735
発行日	2002-07-22 発行

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

作成者	Ito Yuhei \| Hatano Tsuyoshi \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 24 号 pp. 4617 - 4619
発行日	2002-06-17 発行

Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 21 号 pp. 3952 - 3954
発行日	2002-05-27 発行

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

作成者	Nakajima Anri \| Khosru Quazi Deen Mohd \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 7 号 pp. 1252 - 1254
発行日	2002-02-18 発行

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 21 号 pp. 3488 - 3490
発行日	2001-11-19 発行

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 665 - 667
発行日	2001-07-30 発行

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 617 - 619
発行日	2001-07-30 発行

Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 4 号 pp. 494 - 496
発行日	2001-07-23 発行