Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures
Applied Physics Letters 80 巻 21 号
3952-3954 頁
2002-05-27 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures
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| 作成者 |
Khosru Quazi Deen Mohd
Yoshimoto Takashi
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| 収録物名 |
Applied Physics Letters
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| 巻 | 80 |
| 号 | 21 |
| 開始ページ | 3952 |
| 終了ページ | 3954 |
| 抄録 |
A simple and effective method for the extraction of interface trap distribution in ultrathin metal– oxide–semiconductor (MOS) structures is presented. By a critical analysis of bipolar-pulse-induced currents through MOS capacitors, a technique is developed to determine the energy distribution of the interface traps without requiring the knowledge of surface potential and doping profile in the semiconductor. The proposed technique can be efficiently used to probe electrical stress, hot-carrier, and radiation-induced interfacial degradations in ultrathin MOS structures.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 2002-05-27 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.1481194
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.1481194
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