Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy
Applied Physics Letters 75 巻 11 号
1535-1537 頁
1999-09-13 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy
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| 作成者 |
Hansch Walter
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| 収録物名 |
Applied Physics Letters
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| 巻 | 75 |
| 号 | 11 |
| 開始ページ | 1535 |
| 終了ページ | 1537 |
| 抄録 |
Core-level intensities for Si 2p, Si2s, O1s, and N1s were measured by x-ray photoelectron spectroscopy in bulk samples of silicon, SiO2 and Si3N4. A complete and consistent set of intensity ratios is given and applied for calculations of thickness and stoichiometry in thin Si/oxide/nitride layers, which can be used for gate dielectrics in advanced metal–oxide–semiconductor field-effect transistor fabrication.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 1999-09-13 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 1999 American Institute of Physics.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.124747
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.124747
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