Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

Applied Physics Letters 75 巻 11 号 1535-1537 頁 1999-09-13 発行
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ファイル情報(添付)
ApplPhysLett_75_1535.pdf 53.7 KB 種類 : 全文
タイトル ( eng )
Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy
作成者
Hansch Walter
収録物名
Applied Physics Letters
75
11
開始ページ 1535
終了ページ 1537
抄録
Core-level intensities for Si 2p, Si2s, O1s, and N1s were measured by x-ray photoelectron spectroscopy in bulk samples of silicon, SiO2 and Si3N4. A complete and consistent set of intensity ratios is given and applied for calculations of thickness and stoichiometry in thin Si/oxide/nitride layers, which can be used for gate dielectrics in advanced metal–oxide–semiconductor field-effect transistor fabrication.
言語
英語
資源タイプ 学術雑誌論文
出版者
American Institute of Physics
発行日 1999-09-13
権利情報
Copyright (c) 1999 American Institute of Physics.
出版タイプ Version of Record(出版社版。早期公開を含む)
アクセス権 オープンアクセス
収録物識別子
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.124747
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.124747