Gate-extension overlap control by Sb tilt implantation
IEICE-Transactions on Electronics E90-C 巻 5 号
973-977 頁
2007 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Gate-extension overlap control by Sb tilt implantation
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| 作成者 |
Maeda Nobuhide
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| 収録物名 |
IEICE-Transactions on Electronics
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| 巻 | E90-C |
| 号 | 5 |
| 開始ページ | 973 |
| 終了ページ | 977 |
| 抄録 |
Antimony tilt implantation has been utilized for source and drain extension formation of n-MOSFETs. The tilt implantation is a very convenient method to provide adequate overlap between the extensions and a gate electrode. MOSFET drive current was effectively improved by the tilt implantation without degrading short channel effects.
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| 著者キーワード |
MOSFET
extension
gate
overlap
tilt implantation
Sb
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| NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
電子情報通信学会
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| 発行日 | 2007 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2007 The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0916-8524
[DOI] 10.1093/ietele/e90-c.5.973
[NCID] AA10826283
[DOI] http://dx.doi.org/10.1093/ietele/e90-c.5.973
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