High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors

Microelectronic Engineering 83 巻 4-9 号 1740-1744 頁 2006-04 発行
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タイトル ( eng )
High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
作成者
Sunami Hideo
Yoshikawa Koji
Okuyama Kiyoshi
収録物名
Microelectronic Engineering
83
4-9
開始ページ 1740
終了ページ 1744
抄録
Besides further scaling of the metal-oxide-semiconductor transistor, which has continuously been achieved for these 35 years in large-scale integration, three-dimensional transistors having fin-type silicon substrate have been increasingly important for its promising potential to ultimately scaled ones. In this research, a beam-channel transistor featuring very-tall silicon beam has been proposed and its structure formation techniques are summarized in this article. They are tall beam formation, conformal gate formation, uniform source/drain formation, and conformal metal contact.
著者キーワード
Beam channel
High-aspect ratio
Metal-oxide-semiconductor transistor
Plasma doping
Three-dimension
NDC分類
電気工学 [ 540 ]
言語
英語
資源タイプ 学術雑誌論文
出版者
Elsevier B.V.
発行日 2006-04
権利情報
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
出版タイプ Author’s Original(十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版)
アクセス権 オープンアクセス
収録物識別子
[ISSN] 0167-9317
[DOI] 10.1016/j.mee.2006.01.270
[NCID] AA10693521
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.270 ~の異版である