広島大学学術情報リポジトリ

登録番号 (降順)

Spectroscopy of Stripe Order in La1:8Sr0:2NiO4 Using Resonant Soft X-Ray Diffraction

作成者	Schüßler-Langeheine C. \| Schlappa J. \| Tanaka Arata \| Hu Z. \| Chang C.F. \| Schierle E. \| Benomar M. \| Ott H. \| Weschke E. \| Kaindl G. \| Friedt O. \| Sawatzky G.A. \| Lin H.-J. \| Chen C.T. \| Braden M. \| Tjeng L.H.
雑誌	Physical Review Letters 95 巻 15 号
発行日	2005-10-07 発行

Determination of the Orbital Moment and Crystal-Field Splitting in LaTiO3

作成者	Haverkort M. W. \| Hu Z. \| Tanaka Arata \| Ghiringhelli G. \| Roth H. \| Cwik M. \| Lorenz T. \| Schüßler-Langeheine C. \| Streltsov S. V. \| Mylnikova A. S. \| Anisimov V. I. \| de Nadai C. \| Brookes N. B. \| Hsieh H. H. \| Lin H.-J. \| Chen C. T. \| Mizokawa Takashi \| Taguchi Yasujiro \| Tokura Yoshinori \| Khomskii D. I. \| Tjeng L. H.
雑誌	Physical Review Letters 94 巻 5 号
発行日	2005-02-11 発行

Core-level x-ray photoemission on NiO in the impurity limit

作成者	Altieri S. \| Tjeng L. H. \| Tanaka Arata \| Sawatzky G. A.
雑誌	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 61 巻 20 号 pp. 13 403 - 13 409
発行日	2000-05-15 発行

Spin and orbital occupation and phase transitions in V2O3

作成者	Park J.-H. \| Tjeng L. H. \| Tanaka Arata \| Allen J. W. \| Chen C. T. \| Metcalf P. \| Honig J. M. \| de Groot F. M. F. \| Sawatzky G. A.
雑誌	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 61 巻 17 号 pp. 11 506 - 11 509
発行日	2000-05-01 発行

Local environment of Mn atoms in IV-VI ferromagnetic semiconductor Ge1-xMnxTe

作成者	Fukuma Yasuhiro \| Sato Hitoshi \| Fujimoto K. \| Tsuji K. \| Kimura Akio \| Taniguchi Masaki \| Senba Shinya \| Tanaka Arata \| Asada Hironori \| Koyanagi Tsuyoshi
雑誌	Journal of Applied Physics 99 巻 8 号
発行日	2005-04-15 発行

Indication of intrinsic room-temperature ferromagnetism in Ti1-xCoxO2-δ thin film : An x-ray magnetic circular dichroism study

作成者	Mamiya Kazutoshi \| Koide Tsuneharu \| Fujimori Atsushi \| Tokano Hiroyuki \| Manaka Hirotaka \| Tanaka Arata \| Toyosaki Hidemi \| Fukumura Tomoteru \| Kawasaki Masashi
雑誌	Applied Physics Letters 89 巻 6 号
発行日	2006-08-07 発行

Spectroscopic study of ablation and recombination processes in a laser-produced ZnO plasma

作成者	Namba Shinichi \| Nozu Ryoichi \| Takiyama Ken \| Oda Toshiatsu
雑誌	Journal of Applied Physics 99 巻 7 号
発行日	2006-04-01 発行

Spectroscopic study of debris mitigation with minimum-mass Sn laser plasma for extreme ultraviolet lithography

作成者	Namba Shinichi \| Fujioka Shinsuke \| Nishimura Hiroaki \| Yasuda Yuzuri \| Nagai Keiji \| Miyanaga Noriaki \| Izawa Yasukazu \| Mima Kunioki \| Takiyama Ken
雑誌	Applied Physics Letters 88 巻 17 号
発行日	2006-04-24 発行

Influence of bulk bias on negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 99 巻 6 号
発行日	2006-05-15 発行

Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 12 号
発行日	2005-12-15 発行

Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 11 号
発行日	2005-12-01 発行

Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 89 巻 18 号
発行日	2006-10-30 発行

Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor

作成者	Kitade Tetsuya \| Ohkura Kensaku \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 12 号
発行日	2005-05-21 発行

Abnormal enhancement of interface trap generation under dynamic oxide field stress at MHz region

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 8 号
発行日	2005-02-21 発行

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshiro \| Obata Katsunori \| Yokoyama Shin \| Sunami Hideo \| Hirose Masataka
雑誌	Applied Physics Letters 77 巻 18 号 pp. 2855 - 2857
発行日	2000-10-30 発行

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

作成者	Hansch Walter \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 75 巻 11 号 pp. 1535 - 1537
発行日	1999-09-13 発行

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

作成者	Ishii Hiroyuki \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 95 巻 2 号 pp. 536 - 542
発行日	2004-01-15 発行

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

作成者	Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 91 巻 8 号 pp. 5213 - 5220
発行日	2002-04-15 発行

Monolithically integrated optical modulator based on polycrystalline Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films

作成者	Xu Zhimou \| Suzuki Masato \| Tanushi Yuichiro \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 88 巻 17 号
発行日	2006-04-17 発行

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

作成者	Nakajima Anri \| Ito Yuhei \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 81 巻 4 号 pp. 733 - 735
発行日	2002-07-22 発行

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

作成者	Ito Yuhei \| Hatano Tsuyoshi \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 24 号 pp. 4617 - 4619
発行日	2002-06-17 発行

Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 21 号 pp. 3952 - 3954
発行日	2002-05-27 発行

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

作成者	Nakajima Anri \| Khosru Quazi Deen Mohd \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 7 号 pp. 1252 - 1254
発行日	2002-02-18 発行

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 21 号 pp. 3488 - 3490
発行日	2001-11-19 発行

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 665 - 667
発行日	2001-07-30 発行

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