Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors

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タイトル ( eng )
Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors
タイトル ( jpn )
メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製
作成者
赤澤 宗樹
NDC分類
電気工学 [ 540 ]
言語
英語
資源タイプ 博士論文
出版タイプ Not Applicable (or Unknown)(適用外。または不明)
アクセス権 オープンアクセス
収録物識別子
・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate by meniscus force-mediated layer transfer technique; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 108002-1-108002-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.108002) ~を参照している
・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, and Seiichiro Higashi; Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass; Japanese Journal of Applied Physics 54, 086503-1-086503-7 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.086503) ~を参照している
・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force; Applied Physics Letters, 103, 233510-1-233510-4 (2013). (doi: 10.1063/1.4837696) ~を参照している
・Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, and Seiichiro Higashi; Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 018004-1-018004-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.018004) ~を参照している
・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique; ECS Transactions 64(10), 17-22 (2014). (doi: 10.1149/06410.0017ecst) ~を参照している
・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates; Japanese Journal of Applied Physics, 54, 04DA08-1-04DA08-5 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.04DA08) ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.7567/JJAP.53.108002 ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.7567/JJAP.54.086503 ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.1063/1.4837696 ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.7567/JJAP.53.018004 ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.1149/06410.0017ecst ~を参照している
[DOI] http://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DA08 ~を参照している
学位授与番号 甲第6752号
学位名
学位授与年月日 2015-09-04
学位授与機関
広島大学