Study of NAND Flash Memory Cells
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| タイトル ( eng ) |
Study of NAND Flash Memory Cells
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| タイトル ( jpn ) |
NAND型フラッシュメモリセルの研究
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| 作成者 |
有留 誠一
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| 抄録 |
This paper presents the device technologies of NAND Flash memory to realize low bit cost and high reliability.
First, planar (two-dimensional) NAND Flash memory cells are discussed. Four types of NAND Flash memory cells of the LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) isolation cell, the SA-STI cell (Self-Aligned Shallow Trench Isolation cell) with FG wing, the SA-STI cell without FG wing, and SWATT cell (Side WAll Transfer Transistor cell) have been proposed and developed. By using these proposed memory cell, NAND Flash memory cell has been scaled down over 20 years to achieve small memory die size, high performance, and high reliability.…… |
| NDC分類 |
技術・工学 [ 500 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 博士論文 |
| 権利情報 |
Copyright(c) by Author
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| 出版タイプ | Not Applicable (or Unknown)（適用外。または不明） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 学位授与番号 | 甲第6228号 |
| 学位名 | |
| 学位授与年月日 | 2013-09-25 |
| 学位授与機関 |
広島大学
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