Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
Applied Physics Letters 77 巻 18 号
2855-2857 頁
2000-10-30 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
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| 作成者 |
Yoshimoto Takashi
Kidera Toshiro
Obata Katsunori
Sunami Hideo
Hirose Masataka
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| 収録物名 |
Applied Physics Letters
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| 巻 | 77 |
| 号 | 18 |
| 開始ページ | 2855 |
| 終了ページ | 2857 |
| 抄録 |
An extremely thin (~0.4 nm) silicon-nitride layer has been deposited on thermally grown SiO2 by an atomic-layer-deposition (ALD) technique. The boron penetration through the stacked gate dielectrics has dramatically been suppressed, and the reliability has been significantly improved, as confirmed by capacitance–voltage, gate-current–gate-voltage, and time-dependent dielectricbreakdown characteristics. The ALD technique allows us to fabricate an extremely thin, very uniform silicon-nitride layer with atomic-scale control.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 2000-10-30 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2000 American Institute of Physics.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.1320847
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.1320847
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