New theory of effective work functions at metal/high-k dielectric interfaces : application to metal/high-k HfO2 and la2O 3 dielectric interfaces
ECS Transactions 2 巻 1 号
25-40 頁
2006 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
New theory of effective work functions at metal/high-k dielectric interfaces : application to metal/high-k HfO2 and la2O 3 dielectric interfaces
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| 作成者 |
Shiraishi Kenji
Akasaka Yasushi
Nakaoka Takashi
Ohmori Kenji
Ahmet Parhat
Torii Kazuyoshi
Watanabe Heiji
Chikyow Toyohiro
Nara Yasuo
Iwai Hiroshi
Yamada Keisaku
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| 収録物名 |
ECS Transactions
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| 巻 | 2 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 25 |
| 終了ページ | 40 |
| 抄録 |
We have constructed a universal theory of the work functions at metal/high-k HfO2 and La2O3 dielectric interfaces by introducing a new concept of generalized charge neutrality levels. Our theory systematically reproduces the experimentally observed work functions of various gate metals on Hf-based high-k dielectrics, including the hitherto unpredictable behaviors of the work functions of p-metals. Our new concept provides effective guiding principles to achieving near-bandedge work functions of gate metals. Moreover, we discuss the potential of the new high-k dielectrics of La2O3 based on this new concept.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 会議発表論文 |
| 出版者 |
The Electrochemical Society
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| 発行日 | 2006 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2006 The Electrochemical Society
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| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[DOI] 10.1149/1.2193871
[NCID] BA78566750
[DOI] http://dx.doi.org/10.1149/1.2193871
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