A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics
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| タイトル ( eng ) |
A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics
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| タイトル ( jpn ) |
極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiCMOSFETsの研究
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| 作成者 |
村岡 幸輔
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 博士論文 |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 学位授与番号 | 甲第8160号 |
| 学位名 | |
| 学位授与年月日 | 2020-03-23 |
| 学位授与機関 |
広島大学
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