A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics

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File	k8160_3.pdf 12.9 MB 種類 : fulltext
Title ( eng )	A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics
Title ( jpn )	極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiCMOSFETsの研究
Creator	Muraoka Kousuke
Language	eng
Resource Type	doctoral thesis
Access Rights	open access
Dissertation Number	甲第8160号
Degree Name	Doctor of Engineering
Date of Granted	2020-03-23
Degree Grantors	広島大学