All-chromium single electron transistor fabricated with plasma oxidation
Physica B: Condensed Matter 383 巻 1 号
57-58 頁
2006-08-15 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
All-chromium single electron transistor fabricated with plasma oxidation
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| 作成者 |
Kubota T.
Yagi Ryuta
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| 収録物名 |
Physica B: Condensed Matter
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| 巻 | 383 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 57 |
| 終了ページ | 58 |
| 抄録 |
We fabricated all-chromium single electron transistor using electron beam lithography and shadow evaporation, employing a plasma oxidation technique. This improved the controllability of the tunnel resistance determined in the oxidation process. We measured the device characteristics of the fabricated SET transistor at 90 mK and found that Coulomb blockade with little leakage current, showing excellent quality of the tunnel barrier.
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| 著者キーワード |
SET transistor
plasma oxidation
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 会議発表論文 |
| 出版者 |
Elsevier B.V.
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| 発行日 | 2006-08-15 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
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| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[NCID] AA10673546
[ISSN] 0921-4526
[DOI] 10.1016/j.physb.2006.03.055
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2006.03.055
～の異版である
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