Electron tunneling experiments on La-substituted Kondo-semiconductor CeRhAs
Physica B: Condensed Matter 383 巻 1 号
26-27 頁
2006-08-15 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Electron tunneling experiments on La-substituted Kondo-semiconductor CeRhAs
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| 作成者 |
Sasakawa Tetsuya
Gabovich Alexander M.
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| 収録物名 |
Physica B: Condensed Matter
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| 巻 | 383 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 26 |
| 終了ページ | 27 |
| 抄録 |
Polycrystalline Ce1-xLaxRhAs is investigated by means of break-junction tunneling. On Ce substituted by La (x=0.01), a pronounced hump structure is developed at the bias ±0.25 V with a shallow dip on it. The hump emergence is consistent with a drastic reduction in the resistivity. These facts give direct evidence for the appearance of mid-gap states near the Fermi energy by a small La substitution for Ce in CeRhAs.
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| 著者キーワード |
Electron tunneling
Break junction
Kondo semiconductor
Energy gap
Ce1-xLaxRhAs
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
Elsevier
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| 発行日 | 2006-08-15 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
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| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0921-4526
[DOI] 10.1016/j.physb.2006.03.041
[NCID] AA10673546
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2006.03.041
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