回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( jpn ) |
回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル
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| タイトル ( eng ) |
A Non-Quasi-Static Model for MOSFET Based on Carrier-Transit Delay
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| 作成者 |
中山 範明
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| NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
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| 言語 |
日本語
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| 資源タイプ | 博士論文 |
| 権利情報 |
Copyright(c) by Author
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| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
(1) "A Self-Consistent Non-Quasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation Based on Transient Carrier Response" N. Nakayama, H. Ueno, T. Inoue, T. Isa, M. Tanaka and M. Miura-Mattausch, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42, Part 1, No. 4B, April 2003 pp. 2132-2136.
～を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.42.2132
～を参照している
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| 学位授与番号 | 甲第3067号 |
| 学位名 | |
| 学位授与年月日 | 2003-09-05 |
| 学位授与機関 |
広島大学
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