回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル

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ファイル情報(添付)
diss_ko3067.pdf 4.57 MB 種類 : 全文
タイトル ( jpn )
回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル
タイトル ( eng )
A Non-Quasi-Static Model for MOSFET Based on Carrier-Transit Delay
作成者
中山 範明
NDC分類
電気工学 [ 540 ]
言語
日本語
資源タイプ 博士論文
権利情報
Copyright(c) by Author
アクセス権 オープンアクセス
収録物識別子
(1) "A Self-Consistent Non-Quasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation Based on Transient Carrier Response" N. Nakayama, H. Ueno, T. Inoue, T. Isa, M. Tanaka and M. Miura-Mattausch, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42, Part 1, No. 4B, April 2003 pp. 2132-2136. ~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.42.2132 ~を参照している
学位授与番号 甲第3067号
学位名
学位授与年月日 2003-09-05
学位授与機関
広島大学