Tunneling Evidence for the Quasiparticle Gap in Kondo Semiconductors CeNiSn and CeRhSb
Physical Review Letters 75 巻 23 号
4262-4265 頁
1995-12-04 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Tunneling Evidence for the Quasiparticle Gap in Kondo Semiconductors CeNiSn and CeRhSb
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| 作成者 |
Tanaka Hiroaki
Fujii Hironobu
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| 収録物名 |
Physical Review Letters
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| 巻 | 75 |
| 号 | 23 |
| 開始ページ | 4262 |
| 終了ページ | 4265 |
| 抄録 |
The Kondo semiconductors CeNiSn and CeRhSb were investigated by tunneling spectroscopy using a break junction. The differential conductances at 2-4 K show energy gaps of 8-10 and 20-27 meV for CeNiSn and CeRhSb, respectively, which are comparable to the Kondo temperatures. The tunneling spectra give clear evidence for a strong gap anisotropy. With increasing temperature, the zero-bias conductance displays a crossover from a well-developed gap state to a partial-gap state, and to a Kondo-metallic state.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Physical Society
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| 発行日 | 1995-12-04 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 1995 The American Physical Society.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0031-9007
[DOI] 10.1103/PhysRevLett.75.4262
[NCID] AA00773679
[DOI] http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.214441
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