Charge density distribution of transparent p-type semiconductor (LaO)CuS
Applied Physics Letters 90 巻 16 号
161916-1-161916-3 頁
2007-04-19 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Charge density distribution of transparent p-type semiconductor (LaO)CuS
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| 作成者 |
Takase Kouichi
Sato Ken
Shoji Osamu
Takano Yoshiki
Sekizawa Kazuko
Goto Manabu
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| 収録物名 |
Applied Physics Letters
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| 巻 | 90 |
| 号 | 16 |
| 開始ページ | 161916-1 |
| 終了ページ | 161916-3 |
| 抄録 |
The charge density distributions of layered oxysulfide (LaO)CuS, known as a p-type transparent semiconductor, have been investigated by analyzing the synchrotron radiation powder diffraction profile with the maximum entropy method/Rietveld method. The bonding character of the Cu–S bond is revealed to be covalent. Meanwhile, the O–La bonding has both ionic and covalent characters. The number of electrons estimated by integrating the charge density around each atom gave direct evidence that each CuS and LaO layer is electrically almost neutral.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 2007-04-19 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2007 American Institute of Physics.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.2724891
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.2724891
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