Electronic structure and superconducting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64 巻 17 号
172504- 頁
2001-11-01 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Electronic structure and superconducting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy
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| 作成者 |
Yokoya T.
Fukushima A.
Kiss T.
Kobayashi K.
Shin S.
Moriguchi K.
Shintani A.
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| 収録物名 |
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
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| 巻 | 64 |
| 号 | 17 |
| 開始ページ | 172504 |
| 抄録 |
We study the electronic structure and superconducting transition of silicon clathrate Ba8Si46 (Tc=8 K) using photoemission spectroscopy. We observe a narrow band at the Fermi level (EF), whose width (∼0.3 eV) is substantially smaller than that of band structure calculations (∼1.5 eV). Ultrahigh-resolution measurements show a superconducting gap at 5.4 K [2Δ(0)/kBTc=3.51]. Fine structures associated with phonons are observed within 70 meV of EF. These results characterize Ba8Si46 as a weak-coupling superconductor most probably driven by phonon.
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Physical Society
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| 発行日 | 2001-11-01 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2001 American Physical Society
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[NCID] AA11187113
[ISSN] 1098-0121
[DOI] 10.1103/PhysRevB.64.172504
[DOI] http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.64.172504
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