Transfer of Silicon Layer with Midair Cavity and Its Application to MOSFETs Fabrication
アクセス数 : 472 件
ダウンロード数 : 156 件
今月のアクセス数 : 3 件
今月のダウンロード数 : 0 件
この文献の参照には次のURLをご利用ください : https://ir.lib.hiroshima-u.ac.jp/00044377
ファイル情報(添付) |
k6370_1.pdf
260 KB
種類 :
抄録・要旨
|
ファイル情報(添付) |
k6370_2.pdf
263 KB
種類 :
抄録・要旨
|
タイトル ( eng ) |
Transfer of Silicon Layer with Midair Cavity and Its Application to MOSFETs Fabrication
|
タイトル ( jpn ) |
中空構造シリコン層の転写およびMOSFET作製への応用
|
作成者 |
酒池 耕平
|
内容記述 |
内容の要旨 , 審査の要旨
|
NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
|
言語 |
英語
|
資源タイプ | 博士論文 |
アクセス権 | オープンアクセス |
学位授与番号 | 甲第6370号 |
学位名 | |
学位授与年月日 | 2014-03-23 |
学位授与機関 |
広島大学
|