Transfer of Silicon Layer with Midair Cavity and Its Application to MOSFETs Fabrication

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k6370_2.pdf 263 KB 種類 : 抄録・要旨
タイトル ( eng )
Transfer of Silicon Layer with Midair Cavity and Its Application to MOSFETs Fabrication
タイトル ( jpn )
中空構造シリコン層の転写およびMOSFET作製への応用
作成者
酒池 耕平
内容記述
内容の要旨 , 審査の要旨
NDC分類
電気工学 [ 540 ]
言語
英語
資源タイプ 博士論文
アクセス権 オープンアクセス
学位授与番号 甲第6370号
学位名
学位授与年月日 2014-03-23
学位授与機関
広島大学