Investigation on thin-film polycrystalline silicon for solar cells by a new solid phase crystallization method
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ファイル情報(添付) |
diss_otsu2526.pdf
84.1 MB
種類 :
全文
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タイトル ( eng ) |
Investigation on thin-film polycrystalline silicon for solar cells by a new solid phase crystallization method
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タイトル ( jpn ) |
新しい固相成長法による太陽電池用薄膜多結晶シリコンに関する研究
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作成者 |
松山 隆夫
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内容記述 |
1 Introduction / p1
1.1 History of solar cells / p1 1.2 Conventional fabrication method of thin-film polycrystalline silicon for solar cells / p2 1.3 Solid phase crystallization method / p6 1.4 A new solid phase crystallization (SPC) method / p8 References / p12 2 Theoretical background / p14 2.1 Introduction / p14 2.2 Solid phase crystallization / p15 2.3 Transport of polycrystalline silicon films / p18 2.4 Current-voltage characteristics of p-n junction / p21 2.5 Summary / p26 References / p27 3 Development of thin-film polycrystalline silicon by a new SPC method / p28 3.1 Introduction / p28 3.2 Effect of impurities (dopants) / p33 3.3 Optimum starting materials for the SPC method / p66 3.4 Investigation of substrates / p83 3.5 Solid phase crystallization using crystal silicon as a seed / p97 3.6 Summary / p108 References / p110 4 Development of solar cells using thin-film polycrystalline silicon / p111 4.1 Introduction / p111 4.2 Experimental technique / p112 4.3 A new junction fabrication technology / p116 4.4 Solar cells using thin-film polycrystalline silicon fabricated by the SPC method / p136 4.5 Summary / p147 References / p149 5.Summary / p150 Acknowledgement / p153 |
NDC分類 |
化学工業 [ 570 ]
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言語 |
英語
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資源タイプ | 博士論文 |
権利情報 |
Copyright(c) by Author
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出版タイプ | Not Applicable (or Unknown)(適用外。または不明) |
アクセス権 | オープンアクセス |
学位授与番号 | 乙第2526号 |
学位名 | |
学位授与年月日 | 1994-02-10 |
学位授与機関 |
広島大学
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