Electronic structure of boron-doped diamond with B-H complex and B pair
Science and Technology of Advanced Materials 9 巻 4 号
2009 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Electronic structure of boron-doped diamond with B-H complex and B pair
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| 作成者 | |
| 収録物名 |
Science and Technology of Advanced Materials
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| 巻 | 9 |
| 号 | 4 |
| 抄録 |
The electronic structure of boron-hydrogen complex and boron pair in diamond are studied by first-principles density-functional calculations with supercell models. The electronic structure calculated for the B-H complexes with C2v or C3v symmetry and the nearest-neighbor B pair is used to interpret recent experimental results such as B 1s X-ray photoemission spectroscopy, 11B nuclear quadruple resonance and B K-edge X-ray absorption spectroscopy, which cannot be explained solely by the isolated substitutional boron.
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| 著者キーワード |
superconductivity
Diamond
B-H complex
boron pair
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| NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
IOP Publishing Ltd
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| 発行日 | 2009 |
| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 1468-6996
[DOI] 10.1088/1468-6996/9/4/044211
[NCID] AA11561821
[DOI] http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/4/044211
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