Angle-resolved photoemission study of Ga1-xMnxAs
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64 巻 12 号
125304-1-125304-4 頁
2001-09-06 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Angle-resolved photoemission study of Ga1-xMnxAs
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| 作成者 |
Okabayashi Jun
Rader Oliver
Mizokawa Takashi
Fujimori Atsushi
Hayashi Toshiaki
Tanaka Masaaki
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| 収録物名 |
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
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| 巻 | 64 |
| 号 | 12 |
| 開始ページ | 125304-1 |
| 終了ページ | 125304-4 |
| 抄録 |
Valence-band dispersions in Ga1-xMnxAs along the Γ-Δ-X line (k?[001]) are obtained by angle-resolved photoemission spectroscopy. Compared with the spectra of GaAs, a small energy shift caused by Mn doping is observed for one of the valence bands. In addition, states are observed near the Fermi level in Ga1-xMnxAs. These states show no clear dispersions and behave like an impurity band induced by Mn doping.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Physical Society
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| 発行日 | 2001-09-06 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2001 The American Physical Society.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0163-1829
[DOI] 10.1103/PhysRevB.64.125304
[NCID] AA11187113
[DOI] http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.60.1678
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