Electronic Structure of B-doped Diamond : A First-principles Study
Science and Technology of Advanced Materials 7 巻 SUPPL. 1 号
67-70 頁
2006 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Electronic Structure of B-doped Diamond : A First-principles Study
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| 作成者 | |
| 収録物名 |
Science and Technology of Advanced Materials
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| 巻 | 7 |
| 号 | SUPPL. 1 |
| 開始ページ | 67 |
| 終了ページ | 70 |
| 抄録 |
Electronic structure of B-doped diamond is studied based on first-principles calculations with supercell models for substitutional and interstitial doping at 1.5.3.1 at.% B concentrations. Substitutional doping induces holes around the valence-band maximum in a rigid-band fashion. The nearest neighbor C site to B shows a large energy shift of 1s core state, which may explain reasonably experimental features in recent photoemission and x-ray absorption spectra. Doping at interstitial Td site is found to be unstable compared with that at the substitutional site.
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| 著者キーワード |
diamond
boron doping
first-principles calculation
superconductivity
XAS
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
Elsevier
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| 発行日 | 2006 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2006 Elsevier Ltd.
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| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 1468-6996
[DOI] 10.1016/j.stam.2006.02.011
[NCID] AA11561821
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/j.stam.2006.02.011
～の異版である
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