量子井戸構造における光学特性の電界変調と高速光素子への応用
アクセス数 : 886 件
ダウンロード数 : 221 件
今月のアクセス数 : 3 件
今月のダウンロード数 : 0 件
この文献の参照には次のURLをご利用ください : https://doi.org/10.11501/3052426
ファイル情報(添付) |
diss_otsu1996.pdf
80.3 MB
種類 :
全文
|
タイトル ( jpn ) |
量子井戸構造における光学特性の電界変調と高速光素子への応用
|
作成者 |
菅 康夫
|
内容記述 |
第1章 序論 / p1
§1.1 量子井戸構造の光学特性に対する電界効果に関する研究の歴史的経緯 / p1 §1.2 本研究の目的と各章の概要 / p3 §1.3 まとめ / p5 参考文献 / p5 第2章 量子井戸構造における光学特性の電界変調 / p8 §2.1 序言 / p8 §2.2 電界による量子井戸構造の光学特性の変化 / p8 §2.3 発光の電界変調 / p16 §2.4 屈折率の電界変調 / p37 §2.5 まとめ / p51 参考文献 / p53 第3章 量子井戸電界効果形高速変調発光素子 / p56 §3.1 序言 / p56 §3.2 量子井戸電界効果形発光素子の動作原理 / p56 §3.3 量子井戸電界効果形発光素子の素子構造 / p60 §3.4 量子井戸電界効果形発光素子の特性 / p66 §3.5 まとめ / p89 参考文献 / p90 第4章 電界スクリーニングを用いた光双安定素子 / p92 §4.1 序言 / p92 §4.2 電界スクリーニングによる正帰還 / p93 §4.3 電界スクリーニングによる光双安定動作 / p99 §4.4 まとめ / p107 参考文献 / p107 第5章 結言 / p109 謝辞 / p112 本研究に関する発表論文 / p113 |
NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
|
言語 |
日本語
|
資源タイプ | 博士論文 |
権利情報 |
Copyright(c) by Author
|
出版タイプ | Not Applicable (or Unknown)(適用外。または不明) |
アクセス権 | オープンアクセス |
収録物識別子 |
1) Y. Kan, M. Yamanishi, I. Suemune, H. Yamamoto and T. Yao : "Electric Field Effect on Subband State Transitinon Peaks in the Photoluminescence from a GaAlAs Quantum Well Structure", Jpn. J. Appl. Phys., 24 (1985) L589.
~を参照している
2) H. Nagai, Y. Kan, M. Yamanishi and I. Suemune : "Electroreflectance Spectra and Field-Induced Variation in Refractive Index of a GaAs/AlAs Quantum Well Structure at Room Temperature", Jpn. J. Appl. Phys., 25 (1986) L640.
~を参照している
3) Y. Kan, M. Yamanishi, Y. Usami and I. Suemune : "Switching of Photoluminescence by Pulsed Electric Field in GaAs/Al0.7Ga0.3As Single Quantum Well Structure", IEEE J. of Quantum Electron., QE-22 (1986) 1844.
~を参照している
4) I. Ogura, M. Yamanishi, Y. Kan and I. Suemune : "Dynamic Switching Characteristics of Photoluminescence by an Electric Field in AlGaAs Quantum Well Structures", Jpn. J. Appl. Phys., 26 (1986) L1313.
~を参照している
5) Y. Kan, H. Nagai, M. Yamanishi and I. Suemune : "Field-Effects on the Refractive Index and Absorption Coefficient in AlGaAs Quantum Well Structures and Their Feasibility for Electrooptic Device Applications", IEEE J. of Quantum Electron., QE-23 (1987) 2167.
~を参照している
6) Y. Kan, M. Yamanishi, M. Okuda, K. Mukaiyama, T. Ohnishi, M. Kawamoto and I. Suemune : "Quantum-Confined Field-Effect Light Emitters with High-Speed Switching Capability", Appl. Phys. Lett., 55 (1989) 1149.
~を参照している
7) Y. Kan, K.Obata, M. Yamanishi, Y.Funahashi, Y. Sakata, Y.Yamaoka and I. Suemune : "Optical Nonlinearity Caused by Charge-Induced Field Screening in DC-Biased Quantum Well Structure", Jpn. J. Appl. Phys., 28 (1989) L1585.
~を参照している
8) Y. Kan, M. Okuda, M. Yamanishi, T. Ohnishi, K. Mukaiyama and I. Suemune : "Room Temperature Operation of Three-Terminal Quantum-Confined Field-Effect Light Emitters", Appl. Phys. Lett., 56, (1990) 2059.
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.24.L589
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.25.L640
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1109/JQE.1986.1073173
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.26.L1313
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1109/JQE.1987.1073288
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.101680
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.28.L1585
~を参照している
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.102992
~を参照している
|
学位授与番号 | 乙第1996号 |
学位名 | |
学位授与年月日 | 1990-05-10 |
学位授与機関 |
広島大学
|