ULSIプロセスにおけるエッチング及びCVDの表面反応過程に関する研究
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| Title ( jpn ) |
ULSIプロセスにおけるエッチング及びCVDの表面反応過程に関する研究
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目次 / p1
第1章 序説 / p1 1.1 ULSIプロセスにおけるエッチングおよびCVD技術 / p1 1.2 表面反応研究の重要性 / p2 1.3 本研究の目的 / p2 1.4 概要 / p3 第1章の参考文献 / p6 第2章 デジタル・エッチングによるSiの原子層エッチングと表面反応過程 / p9 2.1 はじめに / p9 2.2 実験方法 / p9 2.3 原子層エッチング / p10 2.4 Si/F系の低温エッチング機構 / p12 2.5 マイクロ・ローディング / p16 2.6 微細細線による側壁への損傷評価 / p17 2.7 F、Cl/SiによるSiエッチング速度のAr⁺、Ne⁺イオンエネルギー依存性 / p22 2.8 まとめ / p23 第2章の参考文献 / p24 第3章 フッ素、塩素/Si反応表面へのレーザ照射効果 / p25 3.1 はじめに / p25 3.2 実験装置と実験方法 / p25 3.3 RIE表面へのエキシマレーザ照射による増速効果 / p25 3.4 XPSとLIDによるフッ素/Si表面反応観察 / p28 3.5 まとめ / p33 第3章の参考文献 / p33 第4章 AIのレーザ誘起パターン転写エッチング / p35 4.1 はじめに / p35 4.2 実験装置および実験方法 / p35 4.3 エッチング終点検出 / p37 4.4 エッチング特性とパターン転写のモデル / p37 4.5 酸素注入効果 / p39 4.6 まとめ / p42 第4章の参考文献 / p42 第5章 CH₃OHを用いたITO膜エッチングの反応機構 / p43 5.1 はじめに / p43 5.2 実験方法 / p43 5.3 エッチング特性 / p44 5.4 XPSを用いたエッチング反応機構の検討 / p47 5.5 CH₃OHプラズマに曝されたレジスト表面の評価 / p51 5.6 各種下地材料とのエッチング選択比の比較 / p53 5.7 まとめ / p53 第5章の参考文献 / p53 第6章 SiH₄/O₂を用いたSi酸化膜のデジタルCVD / p55 6.1 はじめに / p55 6.2 実験方法 / p55 6.3 堆積特性と膜質評価 / p56 6.4 まとめ / p63 第6章の参考文献 / p63 第7章 有機系ガスを用いたデジタルCVDと反応機構 / p65 7.1 有機系ガスによるコンフォーマル堆積 / p65 7.2 in-situ FTIR法によるTES/水素反応過程の観察 / p72 7.3 デジタル法によるSi酸化膜および窒化膜の形成 / p79 7.4 まとめ / p84 第7章の参考文献 / p86 第8章 AIの選択CVDの反応過程 / p87 8.1 はじめに / p87 8.2 DMAIHを用いた実験 / p87 8.3 in-situ FTIR-ATRによる選択成長過程の検討 / p95 8.4 DEAIHを用いた実験 / p99 8.5 まとめ / p107 第8章の参考文献 / p107 第9章 結論 / p109 謝辞 / p112 発表論文リスト / p113 1.主要関係論文リスト / p113 2.参考論文リスト / p115 |
| NDC |
Electrical engineering [ 540 ]
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| Language |
jpn
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| Resource Type | doctoral thesis |
| Rights |
Copyright(c) by Author
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| Publish Type | Not Applicable (or Unknown) |
| Access Rights | open access |
| Source Identifier |
1) H. Sakaue, S. Iseda, K. Asami, J. Yamamoto, M. Hirose and Y. Horiike; "Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon", Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) pp. 2648-2652.
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3) H. Sakaue, K. Asami, T. Ichihara, S. Ishizuka, K. Kawamura and Y. Horiike; "Digital Process for Advanced VLSI's and Surface Reaction Study", Materials Research Society Symp. Proc. Vol. 222 (1991) pp.195-206.
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8) Y. Horiike, T. Tanaka, M. Nakano, S. Iseda, H. Sakaue, A. Nagata, H. Shindo, S. Miyazaki and M. Hirose; "Digital Chemical Vapor Deposition and Etching Technologies for Semiconductor Processing", J. Vac. Sci. Technol., A8 (1990) pp. 1845-1850.
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11) Y. Horiike, K. Asami, T. Hashimoto, J. Yamamoto, H. Sakaue, H. Shindo and Y. Todokoro; "Low Energy Silicon Etching Technologies", Proc. of Microcircuit Engineering 90, Ed. by G. Declerck, L. Van den hove and F. Coopmans, (Belgium, 1990) pp. 417-424.
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13) H. Sakaue, K. Asami, M. Yamamoto, M. Kawasaki and Y. Horiike; "Excimer Laser Enhanced Reactive Ion Etching", Proc. of Intern. Conf. on Laser Advanced Materials Processing (Nagaoka, 1992) pp.1159-1164.
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.29.2648
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.L124
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1557/PROC-222-195
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.31.2006
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.29.2657
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(90)90138-P
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1116/1.576814
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.104284
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[DOI] http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.3215
references
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90124-V
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| Dissertation Number | 乙第2418号 |
| Degree Name | |
| Date of Granted | 1993-05-13 |
| Degree Grantors |
広島大学
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