中島安理

広大研究者総覧

登録番号 (降順)

Biomolecule detection based on Si single-electron transistors for highly sensitive integrated sensors on a single chip

作成者	Kudo Takashi \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 100 巻 2 号 pp. 023704 -
発行日	2012 発行

Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors

作成者	Kudo Takashi \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 98 巻 12 号 pp. 123705 -
発行日	2011 発行

Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

作成者	Nakajima Anri \| Kudo Takashi \| Ito Takashi
雑誌	Applied Physics Letters 98 巻 5 号 pp. 053501 -
発行日	2011 発行

Influence of bulk bias on negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 99 巻 6 号
発行日	2006-05-15 発行

Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 12 号
発行日	2005-12-15 発行

Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	Journal of Applied Physics 98 巻 11 号
発行日	2005-12-01 発行

Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands

作成者	Ohkura Kensaku \| Kitade Tetsuya \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 89 巻 18 号
発行日	2006-10-30 発行

Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor

作成者	Kitade Tetsuya \| Ohkura Kensaku \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 12 号
発行日	2005-05-21 発行

Abnormal enhancement of interface trap generation under dynamic oxide field stress at MHz region

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 86 巻 8 号
発行日	2005-02-21 発行

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshiro \| Obata Katsunori \| Yokoyama Shin \| Sunami Hideo \| Hirose Masataka
雑誌	Applied Physics Letters 77 巻 18 号 pp. 2855 - 2857
発行日	2000-10-30 発行

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

作成者	Hansch Walter \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 75 巻 11 号 pp. 1535 - 1537
発行日	1999-09-13 発行

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

作成者	Ishii Hiroyuki \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 95 巻 2 号 pp. 536 - 542
発行日	2004-01-15 発行

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

作成者	Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Journal of Applied Physics 91 巻 8 号 pp. 5213 - 5220
発行日	2002-04-15 発行

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

作成者	Nakajima Anri \| Ito Yuhei \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 81 巻 4 号 pp. 733 - 735
発行日	2002-07-22 発行

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

作成者	Ito Yuhei \| Hatano Tsuyoshi \| Nakajima Anri \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 24 号 pp. 4617 - 4619
発行日	2002-06-17 発行

Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 21 号 pp. 3952 - 3954
発行日	2002-05-27 発行

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

作成者	Nakajima Anri \| Khosru Quazi Deen Mohd \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 80 巻 7 号 pp. 1252 - 1254
発行日	2002-02-18 発行

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

作成者	Khosru Quazi Deen Mohd \| Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 21 号 pp. 3488 - 3490
発行日	2001-11-19 発行

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

作成者	Nakajima Anri \| Yoshimoto Takashi \| Kidera Toshirou \| Yokoyama Shin
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 665 - 667
発行日	2001-07-30 発行

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 5 号 pp. 617 - 619
発行日	2001-07-30 発行

Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires

作成者	Yokoyama Shin \| Ohba Kenji \| Kawamura Kensaku \| Kidera Toshiro \| Nakajima Anri
雑誌	Applied Physics Letters 79 巻 4 号 pp. 494 - 496
発行日	2001-07-23 発行

Interface trap generation induced by charge pumping current under dynamic oxide field stresses

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 3 号 pp. 216 - 218
発行日	2005-03 発行

Enhancement of BTI degradation in pMOSFETs under high-frequency bipolar gate bias

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 6 号 pp. 387 - 389
発行日	2005-06 発行

Atomic layer-deposited Si-nitride/SiO2 stack gate dielectrics for future high-speed DRAM with enhanced reliability

作成者	Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Zhu Shiyang \| Yokoyama Shigeyuki \| Michimata Shigetomi \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 8 号 pp. 538 - 540
発行日	2005-08 発行

Pulse waveform dependence on AC bias temperature instability in pMOSFETs

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Electron Device Letters 26 巻 9 号 pp. 658 - 660
発行日	2005-09 発行

Mechanism of dynamic bias temperature instability in p- and nMOSFETs: The effect of pulse waveform

作成者	Zhu Shiyang \| Nakajima Anri \| Ohashi Takuo \| Miyake Hideharu
雑誌	IEEE Transactions on Electron Devices 53 巻 8 号 pp. 1805 - 1814
発行日	2006-08 発行

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