このエントリーをはてなブックマークに追加
ID 44377
本文ファイル
Thumnail k6370_1.pdf 260 KB
Thumnail k6370_2.pdf 263 KB
別タイトル
中空構造シリコン層の転写およびMOSFET作製への応用
著者
酒池 耕平
NDC
電気工学
内容記述
内容の要旨 , 審査の要旨
言語
英語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
学位記番号
甲第6370号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2014-03-23
部局名
先端物質科学研究科