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ID 35129
本文ファイル
Thumnail k6228_3.pdf 12.4 MB
Thumnail k6228_1.pdf 239 KB
Thumnail k6228_2.pdf 186 KB
別タイトル
NAND型フラッシュメモリセルの研究
著者
有留 誠一
NDC
技術・工学
抄録(英)
This paper presents the device technologies of NAND Flash memory to realize low bit cost and high reliability.

First, planar (two-dimensional) NAND Flash memory cells are discussed. Four types of NAND Flash memory cells of the LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) isolation cell, the SA-STI cell (Self-Aligned Shallow Trench Isolation cell) with FG wing, the SA-STI cell without FG wing, and SWATT cell (Side WAll Transfer Transistor cell) have been proposed and developed. By using these proposed memory cell, NAND Flash memory cell has been scaled down over 20 years to achieve small memory die size, high performance, and high reliability.……
言語
英語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
ETD
権利情報
Copyright(c) by Author
学位記番号
甲第6228号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2013-09-25
部局名
先端物質科学研究科