ID 49458
本文ファイル
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別タイトル
極限環境応用のための4H-SiC半導体上の低抵抗・高信頼Ni/Nbオーミック接触形成
著者
Vuong Cuong Van
内容記述
内容の要約
言語
英語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
学位記番号
甲第8161号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(理学)
学位名の英名
Doctor of Science
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2020-03-23
部局名
先端物質科学研究科