ID 31835
本文ファイル
著者
NDC
電気工学
目次
目次 / p1
第1章 序説 / p1
 1.1 ULSIプロセスにおけるエッチングおよびCVD技術 / p1
 1.2 表面反応研究の重要性 / p2
 1.3 本研究の目的 / p2
 1.4 概要 / p3
 第1章の参考文献 / p6
第2章 デジタル・エッチングによるSiの原子層エッチングと表面反応過程 / p9
 2.1 はじめに / p9
 2.2 実験方法 / p9
 2.3 原子層エッチング / p10
 2.4 Si/F系の低温エッチング機構 / p12
 2.5 マイクロ・ローディング / p16
 2.6 微細細線による側壁への損傷評価 / p17
 2.7 F、Cl/SiによるSiエッチング速度のAr⁺、Ne⁺イオンエネルギー依存性 / p22
 2.8 まとめ / p23
 第2章の参考文献 / p24
第3章 フッ素、塩素/Si反応表面へのレーザ照射効果 / p25
 3.1 はじめに / p25
 3.2 実験装置と実験方法 / p25
 3.3 RIE表面へのエキシマレーザ照射による増速効果 / p25
 3.4 XPSとLIDによるフッ素/Si表面反応観察 / p28
 3.5 まとめ / p33
 第3章の参考文献 / p33
第4章 AIのレーザ誘起パターン転写エッチング / p35
 4.1 はじめに / p35
 4.2 実験装置および実験方法 / p35
 4.3 エッチング終点検出 / p37
 4.4 エッチング特性とパターン転写のモデル / p37
 4.5 酸素注入効果 / p39
 4.6 まとめ / p42
 第4章の参考文献 / p42
第5章 CH₃OHを用いたITO膜エッチングの反応機構 / p43
 5.1 はじめに / p43
 5.2 実験方法 / p43
 5.3 エッチング特性 / p44
 5.4 XPSを用いたエッチング反応機構の検討 / p47
 5.5 CH₃OHプラズマに曝されたレジスト表面の評価 / p51
 5.6 各種下地材料とのエッチング選択比の比較 / p53
 5.7 まとめ / p53
第5章の参考文献 / p53
第6章 SiH₄/O₂を用いたSi酸化膜のデジタルCVD / p55
 6.1 はじめに / p55
 6.2 実験方法 / p55
 6.3 堆積特性と膜質評価 / p56
 6.4 まとめ / p63
 第6章の参考文献 / p63
第7章 有機系ガスを用いたデジタルCVDと反応機構 / p65
 7.1 有機系ガスによるコンフォーマル堆積 / p65
 7.2 in-situ FTIR法によるTES/水素反応過程の観察 / p72
 7.3 デジタル法によるSi酸化膜および窒化膜の形成 / p79
 7.4 まとめ / p84
 第7章の参考文献 / p86
第8章 AIの選択CVDの反応過程 / p87
 8.1 はじめに / p87
 8.2 DMAIHを用いた実験 / p87
 8.3 in-situ FTIR-ATRによる選択成長過程の検討 / p95
 8.4 DEAIHを用いた実験 / p99
 8.5 まとめ / p107
 第8章の参考文献 / p107
第9章 結論 / p109
謝辞 / p112
発表論文リスト / p113
 1.主要関係論文リスト / p113
 2.参考論文リスト / p115
SelfDOI
言語
日本語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
ETD
権利情報
Copyright(c) by Author
関連情報(references)
1) H. Sakaue, S. Iseda, K. Asami, J. Yamamoto, M. Hirose and Y. Horiike; "Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon", Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) pp. 2648-2652.
2) H. Sakaue, M. Nakano, T. Ichihara and Y. Horiike; "Digital Chemical Vapor Deposition of SiO2 Using a Repetitive Reaction of Triethylsilane/Hydrogen and Oxidation", Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) pp.L124-L127.
3) H. Sakaue, K. Asami, T. Ichihara, S. Ishizuka, K. Kawamura and Y. Horiike; "Digital Process for Advanced VLSI's and Surface Reaction Study", Materials Research Society Symp. Proc. Vol. 222 (1991) pp.195-206.
4) H. Sakaue, M. Koto and Y. Horiike; "In-Situ X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Reactive-Ion-Etched Surfaces of Indium-Tin Oxide Film Employing Alcohol Gas", Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) pp.2006-2010.
5) H. Sakaue, S. Miyazaki and M. Hirose; "Laser-Induced Pattern Projection Etching of Aluminum", Proc. of Symp. on Dry Process, (Tokyo, 1988) pp.187-190.
6) H. Kawamoto, H. Sakaue, S. Takehiro and Y. Horiike; "Study on Reaction Mechanism of Aluminum Selective Chemical Vapor Deposition with In-situ XPS Measurement", Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1990) pp. 2657-2662.
7) Y. Horiike, T. Ichihara and H. Sakaue; "Filling of Si Oxide into a Deep Trench Using Digital CVD Method", Appl. Surface Sci., 46 (1990) pp. 168-174.
8) Y. Horiike, T. Tanaka, M. Nakano, S. Iseda, H. Sakaue, A. Nagata, H. Shindo, S. Miyazaki and M. Hirose; "Digital Chemical Vapor Deposition and Etching Technologies for Semiconductor Processing", J. Vac. Sci. Technol., A8 (1990) pp. 1845-1850.
9) M. Nakano, H. Sakaue, A. Nagata, H. Kawamoto, M. Hirose and Y. Horiike; "Digital Chemical Vapor Deposition of SiO2", Appl. Phys. Lett., 57 (1990) pp. 6475-6478.
10) K. Kawamura, S. Ishizuka, H. Sakaue and Y. Horiike; "Diagnostics of Hydrogen Role on the Si Surface Reaction Process Employing In-situ Fourier Transform Infrared-Attenuated Total Reflection", Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) pp.3215-3218.
11) Y. Horiike, K. Asami, T. Hashimoto, J. Yamamoto, H. Sakaue, H. Shindo and Y. Todokoro; "Low Energy Silicon Etching Technologies", Proc. of Microcircuit Engineering 90, Ed. by G. Declerck, L. Van den hove and F. Coopmans, (Belgium, 1990) pp. 417-424.
12) T. Ichihara, H. Sakaue, T. Okada and Y. Horiike; "Conformal Chemical Vapor Deposition of Insulator Films Employing Digital Method", Proc. of Symp. on Dry Process, (Tokyo, 1990) pp.35-40.
13) H. Sakaue, K. Asami, M. Yamamoto, M. Kawasaki and Y. Horiike; "Excimer Laser Enhanced Reactive Ion Etching", Proc. of Intern. Conf. on Laser Advanced Materials Processing (Nagaoka, 1992) pp.1159-1164.
関連情報URL(references)
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.29.2648
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.L124
http://dx.doi.org/10.1557/PROC-222-195
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.31.2006
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.29.2657
http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(90)90138-P
http://dx.doi.org/10.1116/1.576814
http://dx.doi.org/10.1063/1.104284
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.3215
http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90124-V
学位記番号
乙第2418号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
1993-05-13
部局名
工学研究科