ID 21034
本文ファイル
別タイトル
A Non-Quasi-Static Model for MOSFET Based on Carrier-Transit Delay
著者
中山 範明
NDC
電気工学
言語
日本語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
権利情報
Copyright(c) by Author
関連情報(references)
(1) "A Self-Consistent Non-Quasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation Based on Transient Carrier Response" N. Nakayama, H. Ueno, T. Inoue, T. Isa, M. Tanaka and M. Miura-Mattausch, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42, Part 1, No. 4B, April 2003 pp. 2132-2136.
関連情報URL(references)
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.42.2132
学位記番号
甲第3067号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2003-09-05
部局名
先端物質科学研究科