飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用
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| ID | 26493 |
| 本文ファイル | |
| 著者 |
廣瀬 全孝
桜田 勇蔵
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| キーワード | 表面損傷
中速イオン散乱
イオン注入装置
飛行時間測定
不純物分布
半導体検出器
スペクトルシミュレーション
プラズマ損傷
semiconductor detector
time of flight measurement
アンチモンイオン注入
ion implanter
surface damage
plasma-induced damage
impurity profile
spectra simulation
コンタクトホール
アルゴンプラズマ
medium energy ion scattering
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| NDC |
電気工学
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| 内容記述 | 研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096
原著には既発表論文の別刷を含む。
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| 作成年月日 | 1998-03
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| 言語 |
日本語
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| NII資源タイプ |
研究報告書
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| 広大資料タイプ |
科研費報告書
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| DCMIタイプ | text
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| フォーマット | application/pdf
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| 部局名 |
ナノデバイス・システム研究センター
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