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ID 43616
本文ファイル
Thumnail k7236_3.pdf 8.58 MB
Thumnail k7236_1.pdf 211 KB
Thumnail k7236_2.pdf 174 KB
別タイトル
高電力用途における窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのコンパクトモデル
著者
溝口 健
NDC
物理学
言語
英語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
ETD
関連情報(references)
Analysis of GaN High Electron Mobility Transistor Switching Characteristics for High-Power Applications with HiSIM-GaN Compact Model; Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch, and Hans JUrgen Mattausch; Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, 04EG03-1-5, (2016).
Modeling of Field-Plate Effect on Gallium-Nitride-based High Electron Mobility Transistors for High-Power Applications; Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch, and Hans Jurgen Mattausch; The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers Transactions on Electronics, Vol. E100-C, No. 3, pp. 321-328, (2017).
関連情報URL(references)
https://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EG03
https://doi.org/10.1587/transele.E100.C.321
学位記番号
甲第7236号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Doctor of Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2017-03-23
部局名
先端物質科学研究科