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ID 19287
本文ファイル
著者
Kobayashi, Kenichi
Narimura, Takamasa
Baltzer, Peter
Suemitsu, Toshiaki
Sasakawa, Tetsuya
抄録(英)
Ce 4f derived states at the Fermi level (EF) of the isostructural single crystals CeRhAs, CeRhSb, and CePtSn were observed directly by means of high-resolution (ΔE = 18-20 meV), low-temperature (10-12 K) photoemission spectroscopy with a photon energy of hv = 126 eV. The Ce 4f spectrum for the Kondo semiconductor CeRhAs exhibited no peak structure near EF, and its spectral intensity decreases monotonically above the binding energy ∼90 meV, thereby forming a large gap structure. The spectrum of the semimetal CeRhSb is enhanced above ∼120 meV, but decreases steeply above ∼13 meV, which indicates the existence of a narrow pseudogap at EF. A clear crystal field excitation at ∼27 meV, and a weak Kondo resonance at EF, were found in the metal CePtSn.
掲載誌名
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
66巻
15号
開始ページ
155202-1
終了ページ
155202-4
出版年月日
2002-10-03
出版者
American Physical Society
ISSN
1098-0121
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2002 The American Physical Society.
関連情報URL
部局名
理学研究科
先端物質科学研究科
放射光科学研究センター