このエントリーをはてなブックマークに追加
ID 19302
本文ファイル
著者
Kozlova, N.
Hagel, J.
Doerr, M.
Wosnitza, Jochen
Eckert, D.
Müller, K.-H.
Schultz, Ludwig
Opahle, I.
Elgazzar, S.
Richter, Manuel
Goll, Gernot
Löhneysen, Hilbert Von
Zwicknagl, G.
Yoshino, Takenobu
抄録(英)
We report on a field-induced change of the electronic band structure of CeBiPt as evidenced by electrical-transport measurements in pulsed magnetic fields. Above ∼25T, the charge-carrier concentration increases nearly 30% with a concomitant disappearance of the Shubnikov-de Haas signal. These features are intimately related to the Ce 4f electrons since for the non-4f compound LaBiPt the Fermi surface remains unaffected. Electronic band-structure calculations point to a 4f-polarization-induced change of the Fermi-surface topology.
掲載誌名
Physical Review Letters
95巻
8号
開始ページ
086403-1
終了ページ
086403-4
出版年月日
2005-08-16
出版者
American Physical Society
ISSN
0031-9007
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2005 The American Physical Society.
関連情報URL
部局名
先端物質科学研究科