Magnetic-Field-Induced Band-Structure Change in CeBiPt
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ID | 19302 |
本文ファイル | |
著者 |
Kozlova, N.
Hagel, J.
Doerr, M.
Wosnitza, Jochen
Eckert, D.
Müller, K.-H.
Schultz, Ludwig
Opahle, I.
Elgazzar, S.
Richter, Manuel
Goll, Gernot
Löhneysen, Hilbert Von
Zwicknagl, G.
Yoshino, Takenobu
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抄録(英) | We report on a field-induced change of the electronic band structure of CeBiPt as evidenced by electrical-transport measurements in pulsed magnetic fields. Above ∼25T, the charge-carrier concentration increases nearly 30% with a concomitant disappearance of the Shubnikov-de Haas signal. These features are intimately related to the Ce 4f electrons since for the non-4f compound LaBiPt the Fermi surface remains unaffected. Electronic band-structure calculations point to a 4f-polarization-induced change of the Fermi-surface topology.
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掲載誌名 |
Physical Review Letters
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巻 | 95巻
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号 | 8号
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開始ページ | 086403-1
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終了ページ | 086403-4
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出版年月日 | 2005-08-16
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出版者 | American Physical Society
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ISSN | 0031-9007
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NCID | |
出版者DOI | |
言語 |
英語
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NII資源タイプ |
学術雑誌論文
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広大資料タイプ |
学術雑誌論文
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DCMIタイプ | text
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フォーマット | application/pdf
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著者版フラグ | publisher
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権利情報 | Copyright (c) 2005 The American Physical Society.
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関連情報URL | |
部局名 |
先端物質科学研究科
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