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ID 17062
本文ファイル
著者
Shiraishi, Kenji
Akasaka, Yasushi
Nakaoka, Takashi
Ohmori, Kenji
Ahmet, Parhat
Torii, Kazuyoshi
Watanabe, Heiji
Chikyow, Toyohiro
Nara, Yasuo
Iwai, Hiroshi
Yamada, Keisaku
抄録(英)
We have constructed a universal theory of the work functions at metal/high-k HfO2 and La2O3 dielectric interfaces by introducing a new concept of generalized charge neutrality levels. Our theory systematically reproduces the experimentally observed work functions of various gate metals on Hf-based high-k dielectrics, including the hitherto unpredictable behaviors of the work functions of p-metals. Our new concept provides effective guiding principles to achieving near-bandedge work functions of gate metals. Moreover, we discuss the potential of the new high-k dielectrics of La2O3 based on this new concept.
掲載誌名
ECS Transactions
2巻
1号
開始ページ
25
終了ページ
40
出版年月日
2006
出版者
The Electrochemical Society
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
会議発表論文
広大資料タイプ
会議発表論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
author
権利情報
Copyright (c) 2006 The Electrochemical Society
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部局名
先端物質科学研究科