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ID 49457
本文ファイル
k8160_1.pdf 241 KB
k8160_2.pdf 218 KB
k8160_3.pdf 12.9 MB
別タイトル
極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiCMOSFETsの研究
著者
村岡 幸輔
言語
英語
NII資源タイプ
学位論文
広大資料タイプ
学位論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
学位記番号
甲第8160号
授与大学
広島大学(Hiroshima University)
学位名
博士(工学)
学位名の英名
Doctor of Engineering
学位の種類の英名
doctoral
学位授与年月日
2020-03-23
部局名
先端物質科学研究科