横山新 - 広島大学著者一覧 - 広島大学学術情報リポジトリ

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Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires

著者	Yokoyama, Shin; Ohba, Kenji; Kawamura, Kensaku; Kidera, Toshiro; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	4号
出版年月日	2001-07-23

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

著者	Yokoyama, Shin; Ohba, Kenji; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	5号
出版年月日	2001-07-30

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

著者	Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshirou; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	5号
出版年月日	2001-07-30

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

著者	Khosru, Quazi Deen Mohd; Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	21号
出版年月日	2001-11-19

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

著者	Nakajima, Anri; Khosru, Quazi Deen Mohd; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshirou; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	7号
出版年月日	2002-02-18

Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

著者	Khosru, Quazi Deen Mohd; Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	21号
出版年月日	2002-05-27

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

著者	Ito, Yuhei; Hatano, Tsuyoshi; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	24号
出版年月日	2002-06-17

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

著者	Nakajima, Anri; Ito, Yuhei; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	81巻
号	4号
出版年月日	2002-07-22

Monolithically integrated optical modulator based on polycrystalline Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films

著者	Xu, Zhimou; Suzuki, Masato; Tanushi, Yuichiro; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	88巻
号	17号
出版年月日	2006-04-17

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

著者	Kawamura, Kensaku; Kidera, Toshiro; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	91巻
号	8号
出版年月日	2002-04-15

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

著者	Ishii, Hiroyuki; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	95巻
号	2号
出版年月日	2004-01-15

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

著者	Hansch, Walter; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	75巻
号	11号
出版年月日	1999-09-13

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

著者	Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshiro; Obata, Katsunori; Yokoyama, Shin; Sunami, Hideo; Hirose, Masataka;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	77巻
号	18号
出版年月日	2000-10-30

電気光学材料を用いたリング共振器光スイッチのSiLSI上へのモノリシック集積

著者	横山新;

GaAs及びSi上への絶縁膜の形成

著者	横山新;