中島安理 - 広島大学著者一覧 - 広島大学学術情報リポジトリ

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Biomolecule detection based on Si single-electron transistors for highly sensitive integrated sensors on a single chip

著者	Kudo, Takashi; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	100巻
号	2号
出版年月日	2012

Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors

著者	Kudo, Takashi; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	98巻
号	12号
出版年月日	2011

Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

著者	Nakajima, Anri; Kudo, Takashi; Ito, Takashi;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	98巻
号	5号
出版年月日	2011

Interface trap generation induced by charge pumping current under dynamic oxide field stresses

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	3号
出版年月日	2005-03

Enhancement of BTI degradation in pMOSFETs under high-frequency bipolar gate bias

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	6号
出版年月日	2005-06

Atomic layer-deposited Si-nitride/SiO2 stack gate dielectrics for future high-speed DRAM with enhanced reliability

著者	Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Zhu, Shiyang; Yokoyama, Shigeyuki; Michimata, Shigetomi; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	8号
出版年月日	2005-08

Pulse waveform dependence on AC bias temperature instability in pMOSFETs

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	9号
出版年月日	2005-09

Mechanism of dynamic bias temperature instability in p- and nMOSFETs: The effect of pulse waveform

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Transactions on Electron Devices
巻	53巻
号	8号
出版年月日	2006-08

Influence of bulk bias on negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin SiON gate dielectrics

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	99巻
号	6号
出版年月日	2006-05-15

Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands

著者	Ohkura, Kensaku; Kitade, Tetsuya; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	98巻
号	12号
出版年月日	2005-12-15

Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	98巻
号	11号
出版年月日	2005-12-01

Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands

著者	Ohkura, Kensaku; Kitade, Tetsuya; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	89巻
号	18号
出版年月日	2006-10-30

Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor

著者	Kitade, Tetsuya; Ohkura, Kensaku; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	86巻
号	12号
出版年月日	2005-05-21

Abnormal enhancement of interface trap generation under dynamic oxide field stress at MHz region

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	86巻
号	8号
出版年月日	2005-02-21

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

著者	Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshiro; Obata, Katsunori; Yokoyama, Shin; Sunami, Hideo; Hirose, Masataka;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	77巻
号	18号
出版年月日	2000-10-30

Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy

著者	Hansch, Walter; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	75巻
号	11号
出版年月日	1999-09-13

Growth and electrical properties of atomic-layer deposited ZrO2 /Si-nitride stack gate dielectrics

著者	Ishii, Hiroyuki; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	95巻
号	2号
出版年月日	2004-01-15

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

著者	Kawamura, Kensaku; Kidera, Toshiro; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Journal of Applied Physics
巻	91巻
号	8号
出版年月日	2002-04-15

Conduction mechanism of Si single-electron transistor having a one-dimensional regular array of multiple tunnel junctions

著者	Nakajima, Anri; Ito, Yuhei; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	81巻
号	4号
出版年月日	2002-07-22

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

著者	Ito, Yuhei; Hatano, Tsuyoshi; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	24号
出版年月日	2002-06-17

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