中島安理 - 広島大学著者一覧 - 広島大学学術情報リポジトリ

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Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures

著者	Khosru, Quazi Deen Mohd; Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	21号
出版年月日	2002-05-27

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

著者	Nakajima, Anri; Khosru, Quazi Deen Mohd; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshirou; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	80巻
号	7号
出版年月日	2002-02-18

Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology

著者	Khosru, Quazi Deen Mohd; Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	21号
出版年月日	2001-11-19

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition

著者	Nakajima, Anri; Yoshimoto, Takashi; Kidera, Toshirou; Yokoyama, Shin;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	5号
出版年月日	2001-07-30

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

著者	Yokoyama, Shin; Ohba, Kenji; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	5号
出版年月日	2001-07-30

Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires

著者	Yokoyama, Shin; Ohba, Kenji; Kawamura, Kensaku; Kidera, Toshiro; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	79巻
号	4号
出版年月日	2001-07-23

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