中島安理 - 広島大学著者一覧 - 広島大学学術情報リポジトリ

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Atomic layer-deposited Si-nitride/SiO2 stack gate dielectrics for future high-speed DRAM with enhanced reliability

著者	Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Zhu, Shiyang; Yokoyama, Shigeyuki; Michimata, Shigetomi; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	8号
出版年月日	2005-08

Enhancement of BTI degradation in pMOSFETs under high-frequency bipolar gate bias

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	6号
出版年月日	2005-06

Interface trap generation induced by charge pumping current under dynamic oxide field stresses

著者	Zhu, Shiyang; Nakajima, Anri; Ohashi, Takuo; Miyake, Hideharu;
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
巻	26巻
号	3号
出版年月日	2005-03

Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

著者	Nakajima, Anri; Kudo, Takashi; Ito, Takashi;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	98巻
号	5号
出版年月日	2011

Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors

著者	Kudo, Takashi; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	98巻
号	12号
出版年月日	2011

Biomolecule detection based on Si single-electron transistors for highly sensitive integrated sensors on a single chip

著者	Kudo, Takashi; Nakajima, Anri;
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻	100巻
号	2号
出版年月日	2012

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