Angle-resolved photoemission study of Ga1-xMnxAs
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| ID | 19355 |
| 本文ファイル | |
| 著者 |
Okabayashi, Jun
Rader, Oliver
Mizokawa, Takashi
Fujimori, Atsushi
Hayashi, Toshiaki
Tanaka, Masaaki
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| 抄録(英) | Valence-band dispersions in Ga1-xMnxAs along the Γ-Δ-X line (k?[001]) are obtained by angle-resolved photoemission spectroscopy. Compared with the spectra of GaAs, a small energy shift caused by Mn doping is observed for one of the valence bands. In addition, states are observed near the Fermi level in Ga1-xMnxAs. These states show no clear dispersions and behave like an impurity band induced by Mn doping.
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| 掲載誌名 |
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
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| 巻 | 64巻
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| 号 | 12号
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| 開始ページ | 125304-1
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| 終了ページ | 125304-4
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| 出版年月日 | 2001-09-06
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| 出版者 | American Physical Society
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| ISSN | 0163-1829
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| NCID | |
| 出版者DOI | |
| 言語 |
英語
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| NII資源タイプ |
学術雑誌論文
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| 広大資料タイプ |
学術雑誌論文
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| DCMIタイプ | text
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| フォーマット | application/pdf
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| 著者版フラグ | publisher
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| 権利情報 | Copyright (c) 2001 The American Physical Society.
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| 関連情報URL | |
| 部局名 |
理学研究科
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