Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4
Applied Physics Letters 79 巻 5 号
617-619 頁
2001-07-30 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4
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| 作成者 |
Ohba Kenji
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| 収録物名 |
Applied Physics Letters
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| 巻 | 79 |
| 号 | 5 |
| 開始ページ | 617 |
| 終了ページ | 619 |
| 抄録 |
Atomic-layer deposition of Si on SiO2 with a self-limiting growth mode was achieved at substrate temperatures between 355 and 385 °C by means of alternate supply of Si2H6 and SiCl4 gas sources. The growth rate was saturated at 2 ML per cycle at these temperatures and for Si2H6 exposure time over 120 s. The smooth surface (∼0.26 nm in arithmetic average roughness) was obtained under the self-limiting condition irrespective of a film thickness up to 6.5 nm.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 2001-07-30 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2001 American Institute of Physics.
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0003-6951
[DOI] 10.1063/1.1389508
[NCID] AA00543431
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.1389508
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