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ID 18585
本文ファイル
著者
Ohba, Kenji
抄録(英)
Atomic-layer deposition of Si on SiO2 with a self-limiting growth mode was achieved at substrate temperatures between 355 and 385 °C by means of alternate supply of Si2H6 and SiCl4 gas sources. The growth rate was saturated at 2 ML per cycle at these temperatures and for Si2H6 exposure time over 120 s. The smooth surface (∼0.26 nm in arithmetic average roughness) was obtained under the self-limiting condition irrespective of a film thickness up to 6.5 nm.
掲載誌名
Applied Physics Letters
79巻
5号
開始ページ
617
終了ページ
619
出版年月日
2001-07-30
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2001 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター