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ID 18596
本文ファイル
著者
Yoshimoto, Takashi
Kidera, Toshiro
Obata, Katsunori
Sunami, Hideo
Hirose, Masataka
抄録(英)
An extremely thin (~0.4 nm) silicon-nitride layer has been deposited on thermally grown SiO2 by an atomic-layer-deposition (ALD) technique. The boron penetration through the stacked gate dielectrics has dramatically been suppressed, and the reliability has been significantly improved, as confirmed by capacitance–voltage, gate-current–gate-voltage, and time-dependent dielectricbreakdown characteristics. The ALD technique allows us to fabricate an extremely thin, very uniform silicon-nitride layer with atomic-scale control.
掲載誌名
Applied Physics Letters
77巻
18号
開始ページ
2855
終了ページ
2857
出版年月日
2000-10-30
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2000 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター