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ID 18590
本文ファイル
著者
Ito, Yuhei
Hatano, Tsuyoshi
抄録(英)
We fabricated Si single-electron transistors (SETs) having double SiO2 barriers and a polycrystalline Si (poly-Si) dot. The fabrication method of this device is completely compatible with the complementary metal–oxide–semiconductor technology, and the position of the poly-Si dot is self-aligned between the source and drain regions. The device exhibits drain current (Id) oscillation against gate voltage. From the dot size dependence of the electrical characteristics, the Id oscillation is considered to be due to the Coulomb blockade effect caused by poly-Si grains in the poly-Si dot. The self-alignment of the poly-Si dot in the fabrication process also means that the SET is promising for practical use.
掲載誌名
Applied Physics Letters
80巻
24号
開始ページ
4617
終了ページ
4619
出版年月日
2002-06-17
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター