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ID 18589
本文ファイル
著者
Khosru, Quazi Deen Mohd
Yoshimoto, Takashi
抄録(英)
A simple and effective method for the extraction of interface trap distribution in ultrathin metal– oxide–semiconductor (MOS) structures is presented. By a critical analysis of bipolar-pulse-induced currents through MOS capacitors, a technique is developed to determine the energy distribution of the interface traps without requiring the knowledge of surface potential and doping profile in the semiconductor. The proposed technique can be efficiently used to probe electrical stress, hot-carrier, and radiation-induced interfacial degradations in ultrathin MOS structures.
掲載誌名
Applied Physics Letters
80巻
21号
開始ページ
3952
終了ページ
3954
出版年月日
2002-05-27
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター